特斯拉首席执行官埃隆·马斯克（Elon Musk）表示，中国将在 2028 年“大规模生产内存条（RAM）”。他的表态，令韩国财经专栏关于 2029 年存储芯片供过于求的警告再添变量。
宣布时机尤为引人关注。当前，韩国芯片厂商正普遍实现利润新高，但行业专栏指出，韩国只剩 2 到 3 年的窗口期来培育新增长引擎。
芯片过剩为何成韩国经济隐忧？
该专栏发表于韩国主流财经媒体《每日经济新闻》。专栏指出，韩国经济高度依赖三星电子与 SK 海力士两大存储芯片巨头。
作者认为，这种依赖性极大加剧了韩国在存储芯片景气周期退潮时的风险。一旦新增产能于 2029 年集中释放，市场面临芯片过剩压力，韩国经济恐受冲击。
A financial column published in South Korea now warns of memory oversupply in 2029, after new capacity comes online.
— P Equity Research 📰 (@pequityresearch) October 15, 2026
They argue Korea has only 2-3 years to develop new growth industries before the cycle potentially reverses. $DRAM $MU $SKHY $EWY pic.twitter.com/eDjrPVYa9p
Gartner 数据也揭示了行业押注之重。该调研机构预计，2026 年全球内存芯片营收将达 8370 亿美元，占全球半导体市场 54%。而 2025 年这一比例仅为 27%。Gartner 指出，价格上涨是核心推动力。
全球内存芯片营收预测 来源：BeInCrypto 不过，Gartner 仍预计即便新增产能陆续投放，2027 年市场供给依然偏紧。
首尔层面对此亦早有警觉。韩国央行此前已将 AI 芯片产业的集中风险视为金融稳定隐忧。
中国 RAM 崛起会否抢跑韩国产业转型？
马斯克在 X 上转发专栏摘要，并以简短回复评论。不过，他并未提及具体哪家中国企业或将带动这轮产能释放。
China will be making a LOT of RAM in 2028 https://t.co/RiBFTe6JIC
— Elon Musk (@elonmusk) October 15, 2026
与此同时，中国本土竞争者长鑫存储（CXMT）近期发布了更高密度 DRAM 设计最新进展。该消息一度拖累三星电子和 SK 海力士这两大权重股，其合计占据 KOSPI 市场约 50%。根据 Counterpoint Research 数据，今年一季度，长鑫存储已拿下全球 DRAM 收入份额近 8%。
埃隆·马斯克此前也曾公开称赞美光（Micron）在内存芯片定价方面表现出的克制，显示他正在密切关注内存芯片成本走势。
目前，市场需求依然远超供给。根据 Gartner 预测，2027 年全球内存芯片营收有望超过 1 万亿美元。
不过，如果中国在 2028 年提前实现产能大规模扩张，内存芯片供过于求的局面可能会比业内预期提前一年出现。届时，韩国芯片厂商寻求多元化布局的“窗口期”或将更为短暂。
在 cn.beincrypto.com 阅读由 Phil Haunhorst 撰写的原始文章 韩国存储芯片繁荣或将结束 马斯克指向中国