DRAM関連ETF、メモリ株の上昇と資金流入の急増を背景に稀な強気パターンを形成

Benzinga
Abrir em Benzinga
共有 Facebook Twitter LinkedIn Pinterest Email

バイラルなラウンドヒル・メモリーETF (CBOE: DRAM )は、保有銘柄の大半が回復したことで急反発し、局地的な強気相場に入った。このETFは7月の安値から約30%上昇しており、珍しい逆三尊パターンが形成されつつあるため、さらなる上昇の余地がある可能性がある。

DRAM ETFは投資家がメモリー株の下落を買い支えたことで反発

7月に大幅な下落があった後、投資家がメモリー株の下落を買い支えた兆候がある。

韓国のSKハイニックスは7月の最安値から32%上昇し、164万5000ウォンに達した。サムスン電子、マイクロン (NASDAQ: MU )、サンディスク (NASDAQ: SNDK )、ウエスタン・デジタル (NASDAQ: WDC )、およびキオクシアは、いずれも7月の安値から2桁の上昇を記録した。

これらの上昇は、これらの企業が強力な財務実績を報告し、メモリー製品の需要が強いことを示したためである。さらに、マイクロソフト、アマゾン、アルファベットなどの大手ハイテク企業も強力な財務実績を発表し、堅調な支出が今後も続くことを示唆した。


関連記事:

2026年に1,600%以上上昇したBWET ETF:QQQとSPYを上回る理由

最も重要なことは、レオポルド・アッシェンブレンナーのヘッジファンドである シチュエーショナル・アウェアネス がシタデルにポジションを売却した後に反発が起こったことである。

最近のデータは、投資家が依然としてDRAM ETFに資金を配分していることを示している。ETF Dbのデータによると、過去30日間で39億ドルを追加し、累積流入額は260億ドルに達した。この急増は、これまでで最も成功したETFの立ち上げの1つとなっている。

DRAMは逆三尊パターンを形成

DRAM ETFチャート | 出典:TradingView

テクニカル分析によると、DRAM ETFは今後数日でさらに上昇する可能性がある。逆三尊パターンを形成しており、これはテクニカル分析における一般的な強気の反転パターンである。ネックラインを超えようとしている。

さらに、株価はマレー・マセ・ライン(Murrey Math Lines)ツールの強力なピボットポイントを上回った。また、50期間移動平均線を上回っており、強気派が依然として支配権を握っていることを示している。

したがって、最も可能性の高い予測は、強気派が過去最高値の81.25ドルを目標に上昇を続けるということである。

しかし、リスクはこのETFが非常に集中していることであり、マイクロン、サムスン電子、SKハイニックスがファンドの71.2%を占めている。この集中は、これらの企業のいずれかが逆風に直面した場合にリスクをもたらす。

もう1つのリスクは、これらの企業がすべて同じ業界に属していることである。将来的に業界が大幅な景気後退に見舞われた場合、リスクにさらされることになる。


関連記事:

デル株の上昇は一時停止、しかしスーパーマイクロとレノボの収益は上昇を示唆

画像:Shutterstock