MRAM

#3046
Everspin Technologies, Inc. - Common Stock
15.5 5 USD
-0.05%
Market Price
Settore: Tecnologia
Base: USD
Valuta di Profitto: USD
Intervallo Giornaliero
15.54
16.44
Intervallo Annuale
7.35
51.50
Variazione giornaliera
-5.47%
Variazione Mensile
+3.12%
Variazione di 6 mesi
+51.56%
Variazione Annuale
+44.38%
Chiusura Precedente
16.4 5
Open
16.4 4
Minimo
15.5 4
Massimo
16.4 4
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Financials

Panoramica Estratto Conto Statistiche Documents
  • Market Capitalization 378.64 M
  • Employee 85
  • Founded 2008
  • CEO N/A
  • Website www.everspin.com
  • Headquarter United States, United States
  • FIGI BBG000N7MXY4
  • Industry Semiconduttori
Ricavi totali
Utile netto
Utile base per azione (EPS base)
Debito totale
Liquidità libera
Disponibilità liquide e mezzi equivalenti
Rapporto prezzo/utili
-309.33
Rapporto prezzo/fatturato
3.79

Related tickers

#NomePrezzo24h %7d %1M %1Y %Valore di MercatoUltimi 7 Giorni
2808
NVEC
NVE Corporation - Common Stock
110.85 USD-2.61%+1.02%+15.23%+61.52%536.20 M USD
3011
LAES
SEALSQ Corp - Ordinary Shares
2.03 USD-3.79%-14.71%-11.74%-66.17%388.80 M USD
3155
QNC
Quantum eMotion Corp. Common Shares
1.50 USD-5.06%-7.41%-8.54%-65.91%327.88 M USD
3515
ALMU
Aeluma, Inc. - Common Stock
10.48 USD-8.07%-17.09%-18.63%-33.12%201.90 M USD

Everspin Technologies, Inc. - Common Stock

Everspin Technologies, Inc. è una società quotata in borsa operante nel settore dei semiconduttori con sede a Chandler, in Arizona (Stati Uniti). Sviluppa e produce prodotti di memoria RAM magnetoresistiva discreta, comprese le famiglie di prodotti Toggle MRAM e Spin-Transfer Torque MRAM. Inoltre, concede in licenza la propria tecnologia per l'utilizzo in applicazioni MRAM integrate e in applicazioni con sensori magnetici, oltre a fornire servizi di fonderia di back-end per eMRAM. La MRAM presenta caratteristiche prestazionali simili a quelle della memoria statica ad accesso casuale, pur conservando la persistenza della memoria non volatile, il che significa che non perde la carica o i dati se l'alimentazione viene interrotta. Questa caratteristica rende la MRAM adatta a un gran numero di applicazioni in cui la persistenza, le prestazioni, la resistenza e l'affidabilità sono fondamentali.

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