Valore202020212022202320242025TTMSpese di vendita, generali e amministrative14.76 M15.41 M16.61 M19.58 M19.53 M20.66 M20.66 MRicerca e sviluppo10.9 M12.63 M11.11 M11.78 M13.69 M14.09 M14.09 MReddito operativo-7.56 M5.04 M6.23 M5.88 M-7.09 M-6.51 M-6.51 MProventi non operativi, Totale-24 K-141 K190 K3.21 M7.83 M6.05 M6.05 MOneri finanziari, al netto degli interessi capitalizzati665 K547 K274 K63 K———Proventi non operativi, esclusi gli oneri finanziari-665 K-547 K-274 K-63 K01.65 M1.65 MEntrate/uscite straordinarie-24 K-141 K190 K3.21 M7.83 M4.41 M4.41 MUtile al lordo delle imposte-8.25 M4.35 M6.14 M9.04 M741 K-457 K-457 KQuota di utile———————Imposte260 K4 00014 K-16 K-40 K129 K129 KInteressi di minoranza———————Altri proventi/oneri al netto delle imposte———————Utile netto al lordo delle attività cessate-8.51 M4.34 M6.13 M9.05 M781 K-586 K-586 KAttività cessate———————Utile netto-8.51 M4.34 M6.13 M9.05 M781 K-586 K-586 KRegolazione della diluizione———————Dividendi privilegiati———————Utile netto diluito attribuibile agli azionisti ordinari-8.51 M4.34 M6.11 M9.03 M781 K-586 K-586 KUtile base per azione (EPS base)—0.220.30.440.04-0.03-0.03Utile diluito per azione (EPS diluito)—0.220.290.420.04-0.03-0.03Numero medio di azioni ordinarie in circolazione—19.4 M20.13 M20.75 M21.64 M22.57 M89.93 MAzioni diluite in circolazione—19.97 M20.78 M21.37 M22.16 M22.57 M90.41 MEBITDA-7.24 M5.35 M6.33 M5.91 M-6.99 M-4.71 M-3.51 MEBIT-7.56 M5.04 M6.23 M5.88 M-7.09 M-6.51 M-6.51 MCosto del fatturato23.94 M22.07 M26.04 M26.52 M24.28 M26.96 M26.96 MAltri costi del venduto———————Ammortamento e svalutazione (liquidità)323 K319 K105 K26 K100 K1.8 M3 M
Everspin Technologies Inc
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performing backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical.