MRAM

#3059
Everspin Technologies, Inc. - Common Stock
15.3 4 USD
-0.07%
Market Price
Sektor: Technologie
Basis: USD
Gewinnwährung: USD
Tagesspanne
15.15
16.44
Jahresspanne
7.35
51.50
Tagesänderung
-6.75%
Monatliche Änderung
+1.72%
6 month change
+49.51%
Jahresänderung
+42.43%
Vorheriger Schlusskurs
16.4 5
Open
16.4 4
Tief
15.1 5
Hoch
16.4 4
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Financials

Übersicht Finanzbericht Statistik Documents
  • Market Capitalization 373.53 M
  • Employee 85
  • Founded 2008
  • CEO N/A
  • Website www.everspin.com
  • Headquarter United States, United States
  • FIGI BBG000N7MXY4
  • Industry Halbleiter
Gesamtumsatz
Jahresüberschuss
Unverwässertes Ergebnis je Aktie (Unverwässertes EPS)
Gesamtverschuldung
Freier Cashflow
Zahlungsmittel und Zahlungsmitteläquivalente
Kurs-Gewinn-Verhältnis
-309.33
Preis-Umsatz-Verhältnis
3.79

Related tickers

#NamePreis24h %7d %1M %1J %MarktkapitalisierungLetzte 7 Tage
2810
NVEC
NVE Corporation - Common Stock
110.50 USD-2.92%-2.43%+14.86%+61.01%534.51 M USD
3031
LAES
SEALSQ Corp - Ordinary Shares
2.02 USD-4.27%-14.77%-12.17%-66.33%386.88 M USD
3187
QNC
Quantum eMotion Corp. Common Shares
1.47 USD-6.96%-9.26%-10.37%-66.59%321.33 M USD
3545
ALMU
Aeluma, Inc. - Common Stock
10.35 USD-9.21%-18.70%-19.64%-33.95%199.40 M USD

Everspin Technologies, Inc. - Common Stock

Everspin Technologies, Inc. ist ein börsennotiertes Halbleiterunternehmen mit Hauptsitz in Chandler, Arizona, USA. Das Unternehmen entwickelt und fertigt diskrete magnetoresistive RAM-Produkte (Magnetoresistive Random-Access Memory), darunter die Produktfamilien Toggle-MRAM und Spin-Transfer-Torque-MRAM. Das Unternehmen vergibt zudem Lizenzen für seine Technologie zur Verwendung in eingebetteten MRAM-Anwendungen und magnetischen Sensoranwendungen und erbringt Backend-Foundry-Dienstleistungen für eMRAM. MRAM weist Leistungsmerkmale auf, die denen von statischem Direktzugriffsspeicher (SRAM) nahekommen, verfügt jedoch gleichzeitig über die Persistenz eines nichtflüchtigen Speichers, was bedeutet, dass es seine Ladung oder Daten nicht verliert, wenn die Stromversorgung des Systems unterbrochen wird. Diese Eigenschaft macht MRAM für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, bei denen Persistenz, Leistung, Lebensdauer und Zuverlässigkeit entscheidend sind.

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