MRAM

#3100
Everspin Technologies, Inc. - Common Stock
16.9 3 USD
-0.08%
Sektor: Technologie
Basis: USD
Gewinnwährung: USD
Tagesspanne
16.93
16.93
Jahresspanne
7.35
51.50
Tagesänderung
-8.09%
Monatliche Änderung
-36.88%
6 month change
+45.45%
Jahresänderung
+57.20%
Vorheriger Schlusskurs
18.4 2
Open
16.9 3
Tief
16.9 3
High
16.9 3
Volumen
83
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Financials

Übersicht Finanzbericht Statistik
Vierteljährlich Jährlich
  • Market Capitalization 396.97 M
  • Employee 85
  • Founded 2008
  • CEO N/A
  • Website www.everspin.com
  • Headquarter United States, United States
  • FIGI BBG000N7MXY4
  • Industry Halbleiter
Gesamtumsatz
Jahresüberschuss
Unverwässertes Ergebnis je Aktie (Unverwässertes EPS)
Gesamtverschuldung
Freier Cashflow
Zahlungsmittel und Zahlungsmitteläquivalente
Kurs-Gewinn-Verhältnis
-309.33
Preis-Umsatz-Verhältnis
3.79

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#NamePreis24h %7d %1M %1J %MarktkapitalisierungLetzte 7 Tage
2897
LAES
SEALSQ Corp - Ordinary Shares
2.71 USD-3.21%-7.19%-17.88%-24.30%519.03 M USD
3042
NVEC
NVE Corporation - Common Stock
88.30 USD-2.73%-8.47%-25.53%+15.76%427.12 M USD
3359
ALMU
Aeluma, Inc. - Common Stock
16.22 USD-7.84%-11.12%-38.79%+3.51%296.91 M USD
3424
QUIK
QuickLogic Corporation - Common Stock
14.64 USD-6.45%-8.21%-34.93%+108.25%266.81 M USD

Everspin Technologies, Inc. - Common Stock

Everspin Technologies, Inc. ist ein börsennotiertes Halbleiterunternehmen mit Hauptsitz in Chandler, Arizona, USA. Das Unternehmen entwickelt und fertigt diskrete magnetoresistive RAM-Produkte (Magnetoresistive Random-Access Memory), darunter die Produktfamilien Toggle-MRAM und Spin-Transfer-Torque-MRAM. Das Unternehmen vergibt zudem Lizenzen für seine Technologie zur Verwendung in eingebetteten MRAM-Anwendungen und magnetischen Sensoranwendungen und erbringt Backend-Foundry-Dienstleistungen für eMRAM. MRAM weist Leistungsmerkmale auf, die denen von statischem Direktzugriffsspeicher (SRAM) nahekommen, verfügt jedoch gleichzeitig über die Persistenz eines nichtflüchtigen Speichers, was bedeutet, dass es seine Ladung oder Daten nicht verliert, wenn die Stromversorgung des Systems unterbrochen wird. Diese Eigenschaft macht MRAM für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, bei denen Persistenz, Leistung, Lebensdauer und Zuverlässigkeit entscheidend sind.

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