ValoreQ4, 24Q1, 25Q2, 25Q3, 25Q4, 25TTMSpese di vendita, generali e amministrative4.93 M5.33 M5.15 M5.17 M5.02 M20.66 MRicerca e sviluppo3.43 M3.36 M3.58 M3.58 M3.57 M14.09 MReddito operativo-1.56 M-1.93 M-1.96 M-1.54 M-1.07 M-6.51 MProventi non operativi, Totale3.97 M796 K1.26 M1.6 M2.39 M6.05 MOneri finanziari, al netto degli interessi capitalizzati——————Proventi non operativi, esclusi gli oneri finanziari0408 K423 K432 K383 K1.65 MEntrate/uscite straordinarie3.97 M388 K842 K1.16 M2.01 M4.41 MUtile al lordo delle imposte1.09 M-1.14 M-696 K51 K1.32 M-457 KQuota di utile——————Imposte-126 K30 K-26 K-3 000128 K129 KInteressi di minoranza——————Altri proventi/oneri al netto delle imposte——————Utile netto al lordo delle attività cessate1.21 M-1.17 M-670 K54 K1.2 M-586 KAttività cessate——————Utile netto1.21 M-1.17 M-670 K54 K1.2 M-586 KRegolazione della diluizione——————Dividendi privilegiati——————Utile netto diluito attribuibile agli azionisti ordinari1.21 M-1.17 M-670 K54 K1.2 M-586 KUtile base per azione (EPS base)0.07-0.05-0.0300.05-0.03Utile diluito per azione (EPS diluito)0.07-0.05-0.0300.05-0.03Numero medio di azioni ordinarie in circolazione21.64 M22.19 M22.5 M22.67 M22.57 M89.93 MAzioni diluite in circolazione22.16 M22.19 M22.5 M23.15 M22.57 M90.41 MEBITDA-1.46 M-1.53 M-1.56 M-1.15 M730 K-3.51 MEBIT-1.56 M-1.93 M-1.96 M-1.54 M-1.07 M-6.51 MCosto del fatturato6.45 M6.38 M6.43 M6.85 M7.29 M26.96 MAltri costi del venduto——————Ammortamento e svalutazione (liquidità)100 K400 K400 K400 K1.8 M3 M
Everspin Technologies Inc
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performing backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical.