MRAM

#3100
Everspin Technologies, Inc. - Common Stock
16.9 3 USD
-0.08%
Settore: Tecnologia
Base: USD
Valuta di Profitto: USD
Intervallo Giornaliero
16.93
16.93
Intervallo Annuale
7.35
51.50
Variazione giornaliera
-8.09%
Variazione Mensile
-36.88%
Variazione di 6 mesi
+45.45%
Variazione Annuale
+57.20%
Chiusura Precedente
18.4 2
Open
16.9 3
Minimo
16.9 3
High
16.9 3
Volume
83
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Financials

Panoramica Estratto Conto Statistiche
Trimestrale Annuale
  • Market Capitalization 396.97 M
  • Employee 85
  • Founded 2008
  • CEO N/A
  • Website www.everspin.com
  • Headquarter United States, United States
  • FIGI BBG000N7MXY4
  • Industry Semiconduttori
Ricavi totali
Utile netto
Utile base per azione (EPS base)
Debito totale
Liquidità libera
Disponibilità liquide e mezzi equivalenti
Rapporto prezzo/utili
879
Rapporto prezzo/fatturato
3.53

Related tickers

#NomePrezzo24h %7d %1M %1Y %Valore di MercatoUltimi 7 Giorni
2897
LAES
SEALSQ Corp - Ordinary Shares
2.71 USD-3.21%-7.19%-17.88%-24.30%519.03 M USD
3042
NVEC
NVE Corporation - Common Stock
88.30 USD-2.73%-8.47%-25.53%+15.76%427.12 M USD
3359
ALMU
Aeluma, Inc. - Common Stock
16.22 USD-7.84%-11.12%-38.79%+3.51%296.91 M USD
3424
QUIK
QuickLogic Corporation - Common Stock
14.64 USD-6.45%-8.21%-34.93%+108.25%266.81 M USD

Everspin Technologies, Inc. - Common Stock

Everspin Technologies, Inc. è una società quotata in borsa operante nel settore dei semiconduttori con sede a Chandler, in Arizona (Stati Uniti). Sviluppa e produce prodotti di memoria RAM magnetoresistiva discreta, comprese le famiglie di prodotti Toggle MRAM e Spin-Transfer Torque MRAM. Inoltre, concede in licenza la propria tecnologia per l'utilizzo in applicazioni MRAM integrate e in applicazioni con sensori magnetici, oltre a fornire servizi di fonderia di back-end per eMRAM. La MRAM presenta caratteristiche prestazionali simili a quelle della memoria statica ad accesso casuale, pur conservando la persistenza della memoria non volatile, il che significa che non perde la carica o i dati se l'alimentazione viene interrotta. Questa caratteristica rende la MRAM adatta a un gran numero di applicazioni in cui la persistenza, le prestazioni, la resistenza e l'affidabilità sono fondamentali.

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