Değer202020212022202320242025TTMSatış/genel/idari giderler14.76 M15.41 M16.61 M19.58 M19.53 M20.66 M22.29 MAraştırma ve geliştirme10.9 M12.63 M11.11 M11.78 M13.69 M14.09 M14.33 MFaaliyet karı-7.56 M5.04 M6.23 M5.88 M-7.09 M-6.51 M-7.29 MFaaliyet Dışı Gelir, Toplam-24 K-141 K190 K3.21 M7.83 M6.05 M7.68 MFaiz gideri (aktifleştirilmiş faizler düşüldükten sonra)665 K547 K274 K63 K———Faaliyet Dışı Gelir (Faiz Giderleri Hariç)-665 K-547 K-274 K-63 K01.65 M1.55 MOlağandışı gelirler/giderler-24 K-141 K190 K3.21 M7.83 M4.41 M6.12 MVergi öncesi kar-8.25 M4.35 M6.14 M9.04 M741 K-457 K386 KKazançlardaki özsermayeler———————Vergiler260 K4 00014 K-16 K-40 K129 K102 KKontrol gücü olmayan/azınlık payı———————Vergi sonrası diğer gelirler/giderler———————Durdurulan faaliyetler öncesi net kar-8.51 M4.34 M6.13 M9.05 M781 K-586 K284 KDurdurulan faaliyetler———————Net kar-8.51 M4.34 M6.13 M9.05 M781 K-586 K284 KSeyreltme ayarlaması———————İmtiyazlı temettüler———————Adi hisse senedi sahiplerine düşen seyreltilmiş net kar-8.51 M4.34 M6.11 M9.03 M781 K-586 K284 KTemel hisse başına kazanç (Temel EPS)—0.220.30.440.04-0.030.01Seyreltilmiş hisse başına kazanç (Seyreltilmiş EPS)—0.220.290.420.04-0.030.01Dolaşımdaki ortalama adi hisse senedi sayısı—19.4 M20.13 M20.75 M21.64 M22.57 M—Dolaşımdaki seyreltilmiş hisse senedi sayısı—19.97 M20.78 M21.37 M22.16 M22.57 M—FAVÖK-7.24 M5.35 M6.33 M5.91 M-6.99 M-4.71 M-3.99 MFVÖK-7.56 M5.04 M6.23 M5.88 M-7.09 M-6.51 M-7.29 MGelir maliyeti23.94 M22.07 M26.04 M26.52 M24.28 M26.96 M27.6 MSatılan malların diğer maliyeti———————Amortisman ve itfa (nakit akışı)323 K319 K105 K26 K100 K1.8 M3.3 M
Everspin Technologies, Inc. - Common Stock
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performing backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical.