Valeur202020212022202320242025TTMFrais de vente, généraux et administratifs14.76 M15.41 M16.61 M19.58 M19.53 M20.66 M22.29 MRecherche et développement10.9 M12.63 M11.11 M11.78 M13.69 M14.09 M14.33 MRésultat d'exploitation-7.56 M5.04 M6.23 M5.88 M-7.09 M-6.51 M-7.29 MTotal des produits hors exploitation-24 K-141 K190 K3.21 M7.83 M6.05 M7.68 MCharges d'intérêts, nettes des intérêts capitalisés665 K547 K274 K63 K———Résultat hors exploitation, hors charges d'intérêts-665 K-547 K-274 K-63 K01.65 M1.55 MRevenus/dépenses exceptionnels-24 K-141 K190 K3.21 M7.83 M4.41 M6.12 MRésultat avant impôts-8.25 M4.35 M6.14 M9.04 M741 K-457 K386 KPart des actionnaires dans le résultat———————Impôts260 K4 00014 K-16 K-40 K129 K102 KIntérêts ne donnant pas le contrôle / intérêts minoritaires———————Autres produits/charges après impôts———————Résultat net avant activités abandonnées-8.51 M4.34 M6.13 M9.05 M781 K-586 K284 KActivités abandonnées———————Résultat net-8.51 M4.34 M6.13 M9.05 M781 K-586 K284 KAjustement de dilution———————Dividendes privilégiés———————Résultat net dilué revenant aux actionnaires ordinaires-8.51 M4.34 M6.11 M9.03 M781 K-586 K284 KBénéfice par action de base (BPA de base)—0.220.30.440.04-0.030.01Bénéfice par action dilué (BPA dilué)—0.220.290.420.04-0.030.01Nombre moyen d'actions de base en circulation—19.4 M20.13 M20.75 M21.64 M22.57 M—Nombre d'actions en circulation après dilution—19.97 M20.78 M21.37 M22.16 M22.57 M—EBITDA-7.24 M5.35 M6.33 M5.91 M-6.99 M-4.71 M-3.99 MEBIT-7.56 M5.04 M6.23 M5.88 M-7.09 M-6.51 M-7.29 MCoût des ventes23.94 M22.07 M26.04 M26.52 M24.28 M26.96 M27.6 MAutres coûts des ventes———————Amortissements (flux de trésorerie)323 K319 K105 K26 K100 K1.8 M3.3 M
Everspin Technologies, Inc. - Common Stock
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performing backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical.