Valor202020212022202320242025TTMDespesas comerciais, gerais e administrativas14.76 M15.41 M16.61 M19.58 M19.53 M20.66 M22.29 MPesquisa e desenvolvimento10.9 M12.63 M11.11 M11.78 M13.69 M14.09 M14.33 MLucro operacional-7.56 M5.04 M6.23 M5.88 M-7.09 M-6.51 M-7.29 MLucro não operacional, total-24 K-141 K190 K3.21 M7.83 M6.05 M7.68 MDespesa com juros, líquida de juros capitalizados665 K547 K274 K63 K———Receitas não operacionais, líquidas das despesas com juros-665 K-547 K-274 K-63 K01.65 M1.55 MReceitas/despesas incomuns-24 K-141 K190 K3.21 M7.83 M4.41 M6.12 MLucro antes dos impostos-8.25 M4.35 M6.14 M9.04 M741 K-457 K386 KParticipação no lucro———————Impostos260 K4 00014 K-16 K-40 K129 K102 KParticipação de minoritários———————Outras receitas/despesas após impostos———————Lucro líquido antes das operações descontinuadas-8.51 M4.34 M6.13 M9.05 M781 K-586 K284 KOperações descontinuadas———————Lucro líquido-8.51 M4.34 M6.13 M9.05 M781 K-586 K284 KAjuste de diluição———————Dividendos de ações preferenciais———————Lucro líquido diluído disponível aos acionistas-8.51 M4.34 M6.11 M9.03 M781 K-586 K284 KLucro básico por ação—0.220.30.440.04-0.030.01Lucro diluído por ação—0.220.290.420.04-0.030.01Número médio de ações básicas—19.4 M20.13 M20.75 M21.64 M22.57 M—Ações diluídas—19.97 M20.78 M21.37 M22.16 M22.57 M—EBITDA-7.24 M5.35 M6.33 M5.91 M-6.99 M-4.71 M-3.99 MEBIT-7.56 M5.04 M6.23 M5.88 M-7.09 M-6.51 M-7.29 MCusto da receita23.94 M22.07 M26.04 M26.52 M24.28 M26.96 M27.6 MOutros componentes do custo———————Amortização e depreciação (fluxo de caixa)323 K319 K105 K26 K100 K1.8 M3.3 M
Everspin Technologies, Inc. - Common Stock
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performing backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical.